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                EV、HEV用IGBT模塊

                采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

                產品信息

                • 產品信息

                EV、HEV用IGBT模塊 650V級

                ※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

                VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

                Package Device type VCES
                Volt
                IC(Cont)
                Amps.
                IC(Peak)
                Amps.
                VCE(sat)
                Typ. Volts
                VF
                Typ. Volts
                Net mass Grams

                M651
                6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

                M652
                6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

                :新產品

                :更新

                :開發中

                 


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